H2N7002LT1G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有0.3A的連續漏極電流能力，支持高達60V的漏源電壓。其導通電阻為1000毫歐姆，確保了較低的功率損耗和較高的效率。柵源電壓范圍達到20V，允許在多種電路設計中靈活應用。這款MOSFET適用于需要精確控制和高可靠性的場合，如電源管理、信號處理等領域，能夠有效滿足對開關速度與能耗比有較高要求的應用場景。
