HFQD11P06TM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:125mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有10A的連續漏極電流能力，能夠承受高達60V的漏源電壓。其導通電阻僅為125毫歐姆，保證了高效的電流傳導和較低的功率損耗。柵源電壓范圍為20V，適合于需要精確控制的應用場合。憑借這些特性，該MOSFET適用于電源管理、負載開關以及各種消費電子設備中，以實現穩定可靠的電路性能。
