HSI7850DPT1E3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備30A的漏極電流能力和60V的漏源擊穿電壓，適用于需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻為20mΩ，有助于降低功耗并減少發(fā)熱。支持高達(dá)20V的柵源電壓，確保了在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。該MOSFET非常適合用于要求高效率和緊湊設(shè)計(jì)的消費(fèi)電子產(chǎn)品中，如電源管理、照明控制等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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