HDMP2215L7_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管(MOSFET)具備4.2A的連續漏極電流(ID)能力，能夠承受高達20V的漏源電壓(VDSS)，導通電阻(RDON)僅為48mΩ，確保了較低的功率損耗和高效的電路控制。柵源電壓(VGS)為12V，適合用于需要高效率開關操作的應用場景中，如電源管理、信號處理以及消費電子設備中的負載切換等場合。其緊湊的設計與良好的熱性能使其成為多種便攜式及家用電子產品設計的理想選擇。
