HNTR4171PT1G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:45mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）設計用于需要高效率與緊湊尺寸的應用，其最大連續漏極電流為4.2A，能夠承受30V的漏源電壓。具有低至45毫歐姆的導通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統效能。柵源電壓工作范圍為12V，確保了良好的驅動兼容性。該器件適用于電源轉換、便攜式設備及消費電子產品中的開關電路，以提供可靠的性能和長久的使用壽命。
