HDMC3016LDV7_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:16A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管(MOSFET)是一款高性能的NP溝道器件，支持最大漏極電流16A，具備高達30V的漏源電壓(VDSS)。其導通電阻僅為14毫歐姆(RDON)，保證了在工作時的低損耗特性。柵源電壓(VGS)為20V，適用于多種電子設備中對效率和空間有較高要求的應用場景。此款MOSFET結合了N溝道與P溝道的優勢，在電源管理、信號切換及放大電路等領域展現出優異性能。
