HFDMC6675BZ_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET具備32A的額定漏極電流（ID），能夠承受高達(dá)30V的漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻僅為10mΩ，確保了較低的功耗和較高的效率。該器件支持最大25V的柵源電壓（VGS），適用于多種電子設(shè)備中需要高電流承載能力和快速開關(guān)速度的場合，如消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源控制、信號轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。憑借優(yōu)秀的電氣特性，它是實(shí)現(xiàn)緊湊且高效設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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