HSQD40N0614LGE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)的最大漏極電流ID為50A，能夠承受高達60V的漏源電壓VDSS，適用于需要處理中等功率的應用場合。其導通電阻RDON為11mΩ，有助于降低工作時的能耗并提高整體效率。柵源電壓VGS支持至20V，確保了與多種驅動電路的良好兼容性。此MOSFET非常適合用于電子設備中的開關控制、電源管理以及信號調節等領域，滿足對快速響應時間和可靠性的要求。
