HNVD4804NT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管(MOSFET)具備出色的性能參數，其最大漏極電流ID可達100A，適用于高負載場景。耐壓值VDSS為30V，保證了在中等電壓范圍內的穩定運行。導通電阻RDON僅為3.8mΩ，有助于減少工作時的熱損耗，提高效率。柵源電壓VGS支持至20V，確保了良好的驅動兼容性。這款MOSFET因其低內阻和高效能特性，適合用于需要快速開關響應與良好散熱性的電子電路設計中，如電源管理、LED照明控制等領域。
