HAM7630N_DFN3X3B-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款場效應(yīng)管(MOSFET)為NN溝道設(shè)計(jì)，支持最大30安培的漏極電流(ID)與30伏特的漏源電壓(VDSS)，適用于高功率需求的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻僅為10毫歐姆(RDON)，有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。柵源電壓(VGS)為20伏特，確保了良好的驅(qū)動性能。該MOSFET適合用于消費(fèi)電子設(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)控制及各種需要快速響應(yīng)時間的電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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