HSTD20NF10T4_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道MOSFET具有卓越的電氣特性，最大連續(xù)漏極電流ID為30A，能夠處理較高的電流負(fù)載；其漏源電壓VDSS達(dá)到100V，適用于需要承受一定電壓水平的應(yīng)用環(huán)境；導(dǎo)通電阻RDSON僅為35mΩ，有助于減少能量損失并提高系統(tǒng)效率；柵源電壓VGS支持20V，提供了良好的驅(qū)動(dòng)兼容性。此款場(chǎng)效應(yīng)管非常適合于消費(fèi)電子、家用電器等領(lǐng)域的電源控制與轉(zhuǎn)換電路中，確保了高效且可靠的電力管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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