HIPD650P06NM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:55mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET），標稱電流為20A，最大漏源極間電壓(VDSS)達到60V，導通電阻(RDS(on))為55毫歐，并能在最高20V的柵源極電壓(VGS)下穩定工作。這些特性使其成為電源轉換、信號調制等應用的理想選擇，特別適用于需要快速響應和高效能表現的電路設計中。其出色的電氣性能和可靠性，能夠滿足各種精密電子設備的需求。
