HIPD650P06NM_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:55mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），標(biāo)稱電流為20A，最大漏源極間電壓(VDSS)達到60V，導(dǎo)通電阻(RDS(on))為55毫歐，并能在最高20V的柵源極電壓(VGS)下穩(wěn)定工作。這些特性使其成為電源轉(zhuǎn)換、信號調(diào)制等應(yīng)用的理想選擇，特別適用于需要快速響應(yīng)和高效能表現(xiàn)的電路設(shè)計中。其出色的電氣性能和可靠性，能夠滿足各種精密電子設(shè)備的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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