HCSD19533Q5A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:6.4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)設計用于高性能電子應用,支持最大漏極電流ID達80A,擁有高達100V的最大漏源電壓VDSS。其導通電阻僅為6.4毫歐姆,有效降低了工作時的能耗。該MOSFET在柵源電壓VGS為20V條件下可達到最佳性能狀態。適用于要求嚴格控制與高效能轉換的各種場合,如電源管理、開關電路以及其他需要快速切換和低功耗特性的電子產品中。
