HFDG6332C_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款場效應管（MOSFET）屬于NP溝道類型，其最大導通電流（ID/A）為0.8A，在保證安全使用的前提下，可承受的最大電壓（VDSS/V）為20V。當柵源電壓（VGS/V）達到12V時，此MOSFET可以實現有效的開關控制。此外，其導通電阻（RDSON/mR）僅為320毫歐，這意味著在導通狀態下，該元件能有效地減少能量損耗，提高電路效率。這些特性使得它非常適合用于一般電子設備中的電源管理及信號放大等應用場景中。
