HSQD50P0307T4GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備強大的電流處理能力，其最大漏極電流（ID/A）為80A，適用于高功率需求的電路設計。器件設計可承受最高30V的工作電壓（VDSS/V），適合應用于需要穩定高壓操作的環境。其低導通電阻（RDSON/mR）僅為5.5毫歐，能夠在大電流條件下有效減少發熱和能量損失。柵源電壓（VGS/V）為25V時，可以確保精確的開關控制。此MOSFET適用于各類電子設備中的電源管理模塊、逆變電路以及其他需要高性能開關的應用。
