HSTD35NF06LT4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:15mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款N溝道場效應管(MOSFET)具備出色的電氣性能,最大漏極電流ID可達50A,漏源極斷態電壓VDSS為60V,導通電阻RDON低至15mΩ,柵源極電壓VGS范圍為±20V。這些特性使得它非常適合用于高效率開關電源、電池管理以及各類電子設備中的信號放大與開關控制應用。其低導通電阻有助于減少熱損耗,提高系統整體能效。此MOSFET的緊湊設計也有助于節省電路板空間,滿足現代電子產品對小型化、高性能的需求。
