HSI2306BDST1E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5.8A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:28mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管(MOSFET)為N溝道類型,具備5.8A的連續漏極電流(ID),可在最高30V(VDSS)的電壓下工作。其導通電阻(RDSON)僅為28毫歐,在12V的柵源電壓(VGS)驅動下能夠有效降低功耗。此MOSFET適用于設計要求高效能與低能耗的應用場合,如便攜式設備、消費電子產品中的電源管理及信號開關等。其出色的電氣特性使其成為高性能電路設計的理想選擇。
