HIPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計用于高效率的電流控制應用，支持高達50A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS）。其15毫歐的導通電阻（RDON）在20V柵源電壓（VGS）下表現出色，有效減少了功率損失，提升了系統效率。該MOSFET適用于電源供應、電池管理及電子設備中的快速開關操作，確保了設備運行的穩定性和安全性。
