HIRFZ44NSTRLPBF_TO-263_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-263 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:800/圓盤 參數(shù)1:電流ID:49A 參數(shù)2:電壓VDSS:55V 參數(shù)3:RDON:9mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備49A的連續(xù)排水電流(ID/A),能夠承受高達(dá)55V的漏源電壓(VDSS/V)。其導(dǎo)通電阻(RDSON)僅為9毫歐(mΩ),有助于降低功耗,在高負(fù)載條件下依然保持高效能。該器件支持最大±20V的柵源電壓(VGS/V),增強(qiáng)了操作靈活性。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換與管理,以及便攜設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)等功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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