HSTF10N65K3_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有10A的連續漏極電流（ID）和650V的最大漏源電壓（VDSS），適用于需要高電壓耐受能力的應用場景。其導通電阻（RDSON）僅為0.86Ω，在導通狀態下可有效降低功耗。該MOSFET設計有30V的最大柵源電壓（VGS），確保了在各種工作條件下的可靠性能。此元件適合用于一般電子產品中的電源管理、逆變電路以及便攜式設備的電池保護等領域。
