HIPD25N06S4L30_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于要求較高電流承載能力的設(shè)計。其最大漏源電壓（VDSS）為60V，適用于低壓大電流應(yīng)用環(huán)境。導(dǎo)通狀態(tài)下的低電阻（RDSON）僅22毫歐，有助于減少電力損耗，提高效率。最大柵源電壓（VGS）為20V，提供穩(wěn)定的控制信號范圍。該MOSFET適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中，如開關(guān)電源、LED照明驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)等場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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