HSTR2N2VH5_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有6A的漏極電流（ID）承載能力，最大工作電壓（VDSS）為20V，適用于多種電子裝置。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在12V的柵源電壓（VGS）條件下表現(xiàn)出色，能夠顯著降低電力傳輸過程中的能量損失。該MOSFET適用于消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊、便攜設(shè)備的電池保護電路以及需高效能開關(guān)的應(yīng)用場景，是設(shè)計中實現(xiàn)高效率與穩(wěn)定性的理想元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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