HSQD25N0622L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款MOSFET為N溝道類型，具備30A的連續漏極電流（ID/A）處理能力，在60V的最大漏源電壓（VDSS/V）下能夠穩定工作。其導通電阻（RDSON/mR）僅為22毫歐姆，在20V的最大柵源電壓（VGS/V）驅動下，可以實現高效能的電流切換與控制。適用于需要高效率能量轉換的應用中，如便攜式電子產品中的電源管理模塊或消費類電子設備的開關電源設計。該MOSFET的特性使其成為設計緊湊且高性能電路的理想選擇。
