HSiR804DP_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的最大連續漏極電流（ID）與30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電流需求的電路中。其低至4.7毫歐的導通電阻（RDON）在20V柵源電壓（VGS）條件下工作，顯著降低了功率損耗，提高了能效。該MOSFET適用于各種需要高效開關或調節電流的應用場合，如電源轉換、信號處理等領域，確保了系統的穩定性和可靠性。
