HSI1022RT1GE3_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備0.1A的漏極電流(ID)和60V的漏源電壓(VDSS)，適用于需要較高耐壓性能的小功率應用場景。其導通電阻為1300毫歐姆(RDON)，能夠在保證電路正常工作的同時降低功耗。柵源電壓(VGS)達到20V，確保了有效的開關控制。該MOSFET適合用于消費電子、便攜式設備以及各種家用電器中的電源管理和信號控制等場景，是實現高效低功耗設計的理想選擇。
