HSQD25N0622LGE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道MOSFET擁有30A的連續(xù)漏極電流（ID/A）能力，能夠承受高達(dá)60V的最大漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為22毫歐，有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗。柵源電壓（VGS）的最大范圍為±20V，提供了可靠的驅(qū)動(dòng)性能。該MOSFET適用于多種需要快速開關(guān)及高效能的應(yīng)用場(chǎng)景，如個(gè)人電子設(shè)備中的DC/DC轉(zhuǎn)換器或家庭娛樂系統(tǒng)的電源管理模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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