HAO3456_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:5.8A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:22mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有以下主要參數(shù):最大漏極電流ID為5.8A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至22mΩ,柵源電壓VGS為20V。該器件適用于需要高效開關和功率控制的各類電子設備,能夠提供穩(wěn)定可靠的性能支持。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。廣泛應用于電源管理、電池供電設備、消費類電子產品及通信設備中的功率轉換與控制電路中,是一款高性能的基礎半導體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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