HAO3456_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為5.8A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至22mΩ，柵源電壓VGS為20V。該器件適用于需要高效開關和功率控制的各類電子設備，能夠提供穩(wěn)定可靠的性能支持。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。廣泛應用于電源管理、電池供電設備、消費類電子產品及通信設備中的功率轉換與控制電路中，是一款高性能的基礎半導體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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