HAOTF8N65_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有10A的最大工作電流（ID/A），能夠承受高達650V的漏源電壓（VDSS/V），適用于高電壓應用場合。其導通電阻（RDSON/mR）為860毫歐姆，在大電流通過時可保持較低的功率損耗。柵源電壓（VGS/V）的絕對值可達30V，提供了寬泛的驅動信號范圍。此MOSFET適合用于需要處理較高電壓與較大電流的應用，例如在消費電子產品的電源轉換或保護電路中。
