HAOTF8N65_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有10A的最大工作電流（ID/A），能夠承受高達650V的漏源電壓（VDSS/V），適用于高電壓應(yīng)用場合。其導通電阻（RDSON/mR）為860毫歐姆，在大電流通過時可保持較低的功率損耗。柵源電壓（VGS/V）的絕對值可達30V，提供了寬泛的驅(qū)動信號范圍。此MOSFET適合用于需要處理較高電壓與較大電流的應(yīng)用，例如在消費電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換或保護電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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