HRS3E075ATTB_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款MOSFET為P溝道類型，具有11A的連續漏極電流（ID/A），可承受的最大漏源電壓（VDSS）為30V。其導通電阻（RDSON）僅為13毫歐，適用于需要低損耗導通的應用。柵源電壓（VGS）最大可達±20V，確保了良好的驅動性能與控制精度。該MOSFET適用于需要高效能、高可靠性開關的應用場合，如便攜式電子產品中的電源管理或消費類電子設備中的信號開關等。
