HDMNH6008SPSQ13_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有80A的連續(xù)漏極電流（ID）處理能力，能夠在最高60V的漏源電壓（VDSS）下工作。其導(dǎo)通電阻（RDSON）低至5.3毫歐，確保了高效率的能量轉(zhuǎn)換。該MOSFET支持最大±25V的柵源電壓（VGS），適用于大功率應(yīng)用，例如高性能計(jì)算設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)、可再生能源技術(shù)中的逆變器電路以及需要快速切換頻率的PWM控制器等場(chǎng)合，提供可靠的電流調(diào)節(jié)和保護(hù)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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