HFDD5810_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET擁有30A的導通電流（ID/A），能夠承受60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在20V的柵源電壓（VGS/V）下工作。此MOSFET適用于各類電子裝置中的電源管理，例如在電池充電控制、DC/DC轉換器以及便攜式電子產品的電源路徑管理中，它能夠提供可靠的開關性能。其低導通電阻有助于減少電力損耗，從而提高整體效率，并且在高頻應用中表現出色。
