HDMN6040SK3Q13_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續(xù)導通電流（ID/A），最大可承受60V的漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON）低至22毫歐，在20V的柵源電壓（VGS/V）下表現(xiàn)優(yōu)異。該MOSFET適用于多種電子設備中的電源轉(zhuǎn)換及保護電路，如便攜式設備充電管理、LED照明驅(qū)動等，能有效提升系統(tǒng)的整體性能，并確保在高負載條件下的穩(wěn)定性。其低導通電阻有助于減少熱損耗，適合用于需要高效能和可靠性的設計方案中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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