HBSD235CH6327_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，具有0.8A的最大漏極電流（ID），可在高達20V的漏源電壓（VDSS）環(huán)境下正常運作。其導通狀態(tài)下的漏源電阻（RDSON）低至0.32Ω（320毫歐），適用于要求效率與精度的應用場景。在柵源電壓（VGS）不超過±12V的情況下，此MOSFET可以作為電子開關(guān)或放大器，在各種消費電子產(chǎn)品中實現(xiàn)精準的電流控制及電源管理功能。其特性使得它非常適合用于電池供電設備及對尺寸和能耗有嚴格要求的小型裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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