HNP32N055SLE_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30安培的最大漏極電流ID，能夠支持較高功率的應用場景。其最大漏源電壓VDSS達到60伏特，適用于多種工作環境下的電路設計。該器件的導通電阻僅為22毫歐姆，確保了低功耗和高效運行。柵源電壓VGS在±20伏特范圍內工作，使得它成為需要良好熱性能與可靠性的電子設備的理想選擇，如電源管理、消費電子產品等。
