HAOT10N65_TO-220H_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS高達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDON為860mΩ，柵源電壓VGS為30V。該器件具備較高的耐壓能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性，適合對功率控制要求較高的電路環(huán)境。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高電壓功率開關(guān)以及各類消費(fèi)類電子設(shè)備中的功率管理模塊，可為系統(tǒng)提供高效、可靠的能量控制支持，是一款性能均衡的基礎(chǔ)半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
