HAOT10N65_TO-220H_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS高達650V，導通電阻RDON為860mΩ，柵源電壓VGS為30V。該器件具備較高的耐壓能力和穩定的開關特性，適合對功率控制要求較高的電路環境。適用于電源轉換、電機驅動、高電壓功率開關以及各類消費類電子設備中的功率管理模塊，可為系統提供高效、可靠的能量控制支持，是一款性能均衡的基礎半導體元件。
