HSTD36P4LLF6_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID），適用于要求嚴苛的大電流應用環境。其最大工作電壓（VDSS）為40V，確保了在多種電壓環境下可靠的工作性能。導通電阻（RDSON）僅為10毫歐，有助于減少能量損耗，提高效率。此MOSFET的最大柵源電壓（VGS）為20V，提供了寬泛的操作范圍，便于設計靈活性。這些特性使得它成為高性能電源管理和逆變電路的理想選擇。
