HIRLR3717PbF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和20V的漏源極擊穿電壓（VDSS），適合用于需要大電流處理能力的電路。其低至3.5毫歐的導通電阻（RDON）有助于降低功耗，提高系統效率。12V的柵源極電壓（VGS）確保了其易于與其他低電壓電路集成。此款MOSFET適用于電源轉換、負載開關、電池保護等應用領域，能夠在要求苛刻的環境中提供可靠的性能表現。
