HNTR3A052PZT1G_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備5A的最大漏極電流（ID），并能承受最高20V的漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）在12V的柵源電壓（VGS）條件下為35毫歐。該MOSFET適用于需要精確電流控制的應(yīng)用，例如在消費(fèi)電子產(chǎn)品中作為邏輯電平開(kāi)關(guān)或在便攜式裝置中實(shí)現(xiàn)電源路徑管理，確保了電路的穩(wěn)定性和能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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