HFDD050N03B_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3.8mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)提供100A的最大連續漏極電流,可承受30V的最大漏源電壓,適合于需要高電流密度的應用場景。其導通電阻低至3.8毫歐,有助于減少工作時的熱損失,提高能源效率。該MOSFET的柵源電壓范圍為±20V,確保了與多種驅動電路的良好兼容性。它適用于電源供應、電池管理和信號放大等多種電路設計中,是實現高效能、低損耗操作的理想選擇。
