HSi4435BDY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備出色的性能參數，適用于多種電子設備。其最大連續漏極電流可達11A，確保了良好的負載驅動能力；漏源電壓為30V，提供了足夠的電壓承受范圍以適應不同電路需求。該器件的導通電阻僅為13mΩ，有助于減少能量損耗并提高效率。此外，它支持高達20V的柵源電壓，允許更寬泛的設計靈活性。此款MOSFET特別適合要求高效率、低功耗及緊湊設計的應用場合，是構建高效開關電路的理想選擇。
