HNTR3A085PZ_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)擁有良好的電氣特性，適用于多種電子設(shè)備。其最大連續(xù)漏極電流ID為4.2A，能夠滿足一般應(yīng)用場(chǎng)景的需求；漏源電壓VDSS為20V，確保了在一定工作電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。該MOSFET的導(dǎo)通電阻RDON為48mΩ，有助于維持電路效率并減少不必要的能量損失；柵源電壓VGS支持至12V，提供了足夠的驅(qū)動(dòng)能力以實(shí)現(xiàn)有效的開關(guān)控制。這些特點(diǎn)使其成為消費(fèi)電子產(chǎn)品、小型電源管理和信號(hào)處理等應(yīng)用的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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