HSTD10P6F6_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:125mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）擁有10A的連續(xù)排水電流（ID），并能承受高達60V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為125毫歐，在20V的柵源電壓（VGS）條件下工作。該MOSFET適用于消費電子產(chǎn)品的電源路徑控制，例如在電池供電設備中作為開關或在數(shù)字設備中用于電壓調節(jié)，其穩(wěn)定的性能有助于保障設備的可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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