HNTMFS4C06N_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）提供90安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和30伏特的最大漏源電壓（VDSS），適合應(yīng)用于需要高電流承載能力的場(chǎng)合。其極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為3.5毫歐，能夠在大電流條件下顯著減少熱損耗，提高系統(tǒng)效率。支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），確保了快速、可靠的開關(guān)響應(yīng)。適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及其它要求高性能、低功耗的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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