HNTMFS4C06N_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）提供90安培的最大連續漏極電流（ID）和30伏特的最大漏源電壓（VDSS），適合應用于需要高電流承載能力的場合。其極低的導通電阻（RDS(on)）僅為3.5毫歐，能夠在大電流條件下顯著減少熱損耗，提高系統效率。支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），確保了快速、可靠的開關響應。適用于電源轉換、電池管理系統以及其它要求高性能、低功耗的電子裝置中。
