HNTR5103N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有0.3A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源極擊穿電壓（VDSS），適合應用于需要較高電壓耐受能力的電路中。其導通電阻（RDON）為1000毫歐，雖然相對較高，但在低電流條件下仍能有效運作，減少發(fā)熱。最大柵源極電壓（VGS）達到20V，保證了良好的驅動特性和穩(wěn)定性。此元件適用于各種便攜式電子產品中的電源控制、電池管理和信號調理等場合，是實現(xiàn)高效、可靠電路設計的重要組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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