HFDA28N50F_TO-3P_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:28A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備28A的電流處理能力（ID），最大承受漏源電壓（VDSS）為500V，適用于多種高壓環(huán)境下的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為150毫歐，在確保電路安全的同時，減少了能量損耗。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS），是構(gòu)建高壓直流轉(zhuǎn)換器、便攜式設(shè)備充電電路及其它需要高壓隔離的應(yīng)用的理想選擇，提供了可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
