HFDA28N50F_TO-3P_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3P 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:28A 參數(shù)2:電壓VDSS:500V 參數(shù)3:RDON:150mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備28A的電流處理能力(ID),最大承受漏源電壓(VDSS)為500V,適用于多種高壓環(huán)境下的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻(RDSON)為150毫歐,在確保電路安全的同時,減少了能量損耗。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓(VGS),是構(gòu)建高壓直流轉(zhuǎn)換器、便攜式設(shè)備充電電路及其它需要高壓隔離的應(yīng)用的理想選擇,提供了可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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