HIXFP110N15T2_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:150V 參數(shù)3：RDON:9.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）支持高達(dá)120A的持續(xù)漏極電流和150V的漏源電壓，適合在高功率需求的應(yīng)用中使用。其導(dǎo)通電阻低至9.5毫歐姆，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。柵源電壓閾值為20V，確保了與廣泛驅(qū)動(dòng)電路的良好匹配性。憑借這些優(yōu)異特性，該MOSFET非常適合用于高性能電源轉(zhuǎn)換、高效能開關(guān)控制以及需要快速響應(yīng)時(shí)間的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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