HSI4925DDYT1GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:11A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:14mR 參數4:溝道類型:P+P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款PP溝道場效應管(MOSFET)設計用于需要高效能和可靠性的電子電路中,支持的最大連續漏極電流為11A,能夠承受最高達30V的漏源電壓。其導通電阻僅為14mΩ,有助于降低能耗并減少工作時產生的熱量。柵源電壓范圍達到20V,適用于要求精確控制與快速響應的應用場合,如消費電子產品中的電源管理和信號處理等領域。憑借其優秀的電氣特性和緊湊的封裝形式,該MOSFET成為眾多便攜式及家用電器內部電路的理想選擇。
