HFDMC4435BZ_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道場效應管（MOSFET）具有35安培的最大連續漏極電流（ID）和30伏特的最大漏源電壓（VDSS），能夠承受較高的工作壓力。其導通電阻（RDS(on)）為13毫歐，有助于降低在大電流條件下的能量損失，提升整體效率。該器件支持高達25伏特的柵源電壓（VGS），增強了其開關性能。適用于各種需要精確電流控制和高效能表現的電路設計，如電源管理、信號處理等領域。
