HAOSP21357_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5.8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款P溝道場效應管（MOSFET）具備15A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高壓環境下的穩定性能。其導通電阻（RDON）僅為5.8毫歐，在高電流應用中能夠顯著減少功率損耗，提高效率。柵源極電壓（VGS）的最大值為20V，提供了寬泛的操作范圍，便于與多種電路設計兼容。此元件適用于電源管理、信號切換等應用場景，是高性能電子設備的理想選擇。
