HSTR2P3LLH6_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具備4.2A的漏極電流（ID），適合應用于要求不高且穩定的電流環境中。其最大漏源電壓（VDSS）為20V，能夠在常見的低壓系統中提供可靠的性能。導通電阻（RDSON）為48毫歐，有助于減少工作時的功率損耗。柵源電壓（VGS）的最大值為12V，提供了足夠的裕量以確保在不同驅動條件下都能安全工作。適用于消費電子產品中的電源開關、電池保護電路以及小型設備中的信號級應用。
